特許
J-GLOBAL ID：200903013131814860
半導体メモリカード
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 幸男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-228126
公開番号（公開出願番号）：特開平7-057068
出願日： 1993年08月20日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【目的】 不揮発性及びアクセスの高速性を兼ね備えた安価なカードとする。【構成】 安価な擬似SRAM2と、不揮発性メモリの一種であるROM3とを搭載する。ホスト装置は、デコーダ回路8を介して擬似SRAM2及びROM3をアクセスする。このデコーダ回路8によりアクセス対象となるアドレスに応じて擬似SRAM2又はROM3を任意にアクセスすることができる。この場合、ホスト装置は、擬似SRAM2に割り当てられたアドレスの領域をワーキングメモリエリアとして使用し、この領域を高速にアクセスし、データ処理速度を高速化する。また、ROM3に割り当てられた領域を例えばプログラムや字体フォント等を格納する領域として使用し、記憶内容の不揮発性を保障する。
請求項（抜粋）：
SRAMと同様のアクセス方法によりアクセス可能な1又は2以上の擬似SRAMと、電源の供給がなくても記憶内容を保持することが可能な不揮発性メモリと、ホスト装置の出力するアドレスに応じて前記擬似SRAM及び不揮発性メモリのいずれかをアクセス可能とするイネーブル信号を出力するデコーダ回路とから成ることを特徴とする半導体メモリカード。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G06K 19/00 N
, G06K 19/00 K
