特許

J-GLOBAL ID：200903013135641626

シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法

発明者： 岡本 圭史 ,  吉見 雅士
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-358882
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183377
出願日： 1998年12月17日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】 すべての半導体層を同一のプラズマCVDチャンバ内で形成しても光電変換特性を低下させずにむしろ向上させつつ、低コストでかつ優れた生産性を発揮し得るシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン系薄膜光電変換装置をプラズマCVD法を利用して製造する方法は、n型層104が2〜50nmの範囲内の厚さに形成され、i型の結晶質シリコン系光電変換層105が0.036〜0.36μm/hrの範囲内の堆積速度で5〜20分の範囲内の時間だけ堆積された後に1μm/hr以上の堆積速度で最終的に1〜5μmの範囲内の厚さまで堆積され、さらに、p型層106が2〜50nmの範囲内の厚さに形成され、これらのn型層、i型光電変換層、およびp型層が同一のプラズマCVD反応室内で引き続いて形成されることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

シリコン系薄膜光電変換装置をプラズマCVD法を利用して製造する方法であって、n型層が2〜50nmの範囲内の厚さに形成され、i型の結晶質シリコン系光電変換層が0.036〜0.36μm/hrの範囲内の堆積速度で5〜20分の範囲内の時間だけ堆積された後に1μm/hr以上の堆積速度で最終的に1〜5μmの範囲内の厚さまで堆積され、さらに、p型層が2〜50nmの範囲内の厚さに形成され、前記n型層、前記i型光電変換層、および前記p型層が同一のプラズマCVD反応室内で引き続いて形成されることを特徴とするシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法。

Fターム (12件)：

5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051BA14 ,  5F051CA15 ,  5F051CA22 ,  5F051DA04 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA18 ,  5F051GA03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-195182
  
• シリコン系薄膜光電変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-099944   出願人：鐘淵化学工業株式会社
• 特開平3-219622
  
• 特開平2-159021