特許

J-GLOBAL ID：200903013136462261

配線の形成方法

発明者： 吉田 英朗
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (2件)： 宮井 暎夫 ,  伊藤 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-144434
公開番号（公開出願番号）：特開2004-349444
出願日： 2003年05月22日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：

【課題】基板の周辺に銅の研磨残りを発生させることなく、銅の埋め込み配線のディッシングを低減することができる配線の形成方法を提供する。【解決手段】基板上の絶縁膜中に形成された溝に堆積するように絶縁膜上に導電膜を堆積する堆積工程と、溝からはみ出した導電膜を研磨により除去する研磨工程とを含み、導電膜を堆積する堆積工程において堆積された導電膜は、導電膜が基板面内に渡って均一であり、基板面内に渡って均一な前記導電膜を研磨により除去する研磨工程では、研磨荷重とは別に保持台104による基板裏面へのエア加圧を、基板端部から5mmより内側の研磨速度を面内均一に保ち、基板端部から5mmより外側の研磨速度を、基板端部から5mmより内側の研磨速度よりも上昇させるように制御する。導電膜は、銅のほか、タンタル、もしくは窒化タンタル、またはそれらの積層膜がある。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

絶縁膜中に形成された溝に導電膜を埋め込む工程と、前記溝からはみ出した前記導電膜を研磨により除去する工程とを含む配線の形成方法であって、 前記溝からはみ出した前記導電膜は、基板面内に渡って平坦化されており、 前記導電膜を研磨により除去する工程において、基板端部付近と基板中心部で異なる研磨レートにより研磨を行うことを特徴とする配線の形成方法。

IPC (3件)：

H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  H01L21/3205

FI (4件)：

H01L21/304 622G ,  H01L21/304 622R ,  B24B37/00 E ,  H01L21/88 K

Fターム (18件)：

3C058AA07 ,  3C058AB04 ,  3C058BA05 ,  3C058BA08 ,  3C058BA11 ,  3C058BB03 ,  3C058BC01 ,  3C058CB01 ,  3C058DA13 ,  3C058DA17 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033MM01 ,  5F033QQ48 ,  5F033WW01 ,  5F033XX01 ,  5F033XX21