特許
J-GLOBAL ID：200903013142383098
半導体封止成形装置及び方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-121111
公開番号（公開出願番号）：特開平10-313017
出願日： 1997年05月12日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：
【要約】【課題】 成形条件の見直しや、金型構造の変更を行った場合でも、空気の巻込みを未然に防止することにより、製品歩留まりの向上、及び、外観検査の簡素化を実現することのできる半導体封止成形装置及び方法を提供する。【解決手段】 半導体素子が搭載されたリードフレームを金型内に挿入し、樹脂によって半導体素子を封止成形するに当たり、金型のキャビティ形成領域及びカル形成領域を、金型のパーティング面にて環状に封止し、排気孔を通して内部空間を真空にして、半導体素子の封止成形を可能にしたものである。
請求項（抜粋）：
半導体素子が搭載されたリードフレームを金型内に挿入し、樹脂によって前記半導体素子を封止成形する半導体封止成形装置において、前記金型のキャビティ形成領域及びカル形成領域の周囲に装着され、上金型と下金型との圧接時に前記金型のパーティング面を環状に封止するシール部材と、前記シール部材の内側領域と前記金型の外部とを連通させる排気孔と、前記排気孔を通して前記シール部材で封止された内部空間を真空にする排気手段と、を備え、前記シール部材で封止された内部空間を真空にして前記半導体素子の封止成形を行うことを特徴とする半導体封止成形装置。
IPC (5件)：
H01L 21/56
, B29C 45/02
, B29C 45/14
, B29C 45/26
, B29L 31:34
H01L 21/56 T
, B29C 45/02
, B29C 45/14
, B29C 45/26
