特許

J-GLOBAL ID：200903013143705153

半導体レーザ及びその製造方法

発明者： 渡辺 孝幸
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-013578
公開番号（公開出願番号）：特開平9-214045
出願日： 1996年01月30日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】 半導体レーザ及びその製造方法に関し、FeドープInP埋込層の抵抗率の低下を防止すると共に、p型InP層の不純物濃度の低下を防止する。【解決手段】 活性層3を含むメサストライプを埋め込む様にFeドープInP埋込層7を設けると共に、FeドープInP埋込層7とメサストライプとの間にFe拡散防止層6を設ける。

請求項（抜粋）：

活性層を含むメサストライプを埋め込む様にFeドープInP埋込層を設けると共に、前記FeドープInP埋込層と前記メサストライプとの間にFe拡散防止層を設けたことを特徴とする半導体レーザ。