特許
J-GLOBAL ID:200903013143717542

液晶表示装置およびその駆動方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山本 秀策
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-212674
公開番号(公開出願番号):特開平7-064051
出願日: 1993年08月27日
公開日(公表日): 1995年03月10日
要約:
【要約】【目的】 フィールド順次方式による単板式小型軽量の超高精細フルカラーの液晶表示装置を提供する。【構成】 強誘電性液晶を用いるので高速応答が得られる。電界無印加時の強誘電性液晶素子の安定状態の液晶分子光軸を偏光軸に合わせ、電圧を印加していくと透過光量も変化していく特性を有するので階調表示も可能である。ベース基板に単結晶シリコン基板を用い、スイッチングトランジスタをシリコン層内に形成する。微小でも電流駆動能力の大きいトランジスタを得ることができ、素子の搭載密度が大きいので、単位絵素領域毎にトランジスタを二つと補助容量とを設ける。データ信号が第1のトランジスタQ1と第2のトランジスタQ2を介して液晶LCに印加され、同時に補助容量Csに蓄積される。第1のトランジスタQ1がオフしても、補助容量Csに蓄積されたデータ信号に従って第2のトランジスタQ2が駆動され、第2のトランジスタQ2を介して電源から液晶に電圧が印加されるので、配向変化に伴う過渡電流による液晶電位の変動がない。
請求項(抜粋):
表面に単結晶シリコン層を有する第1の基板と透明な第2の基板とが、該第1の基板の単結晶シリコン層を有する面を該第2の基板に対する対向面として、強誘電性液晶を挟持して対向配置されるとともに、該第1の基板の該強誘電性液晶側表面上に形成された複数の絵素領域毎の該単結晶シリコン層中に回路素子が形成された液晶表示装置。
IPC (5件):
G02F 1/133 550 ,  G02F 1/133 510 ,  G02F 1/133 560 ,  G02F 1/136 500 ,  G09G 3/36
引用特許:
審査官引用 (6件)
  • 特開平4-116624
  • 特開昭62-275224
  • 特開昭62-182719
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