特許
J-GLOBAL ID：200903013152782012
交流表面光電圧計測装置及びそれを用いた半導体表面の非破壊不純物汚染濃度測定方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-213237
公開番号（公開出願番号）：特開2004-055935
出願日： 2002年07月23日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：
【課題】acSPVの発生と計測装置の部分のみを中心としてSPVの周波数(f)依存性を計測できる安価で信頼性の高い交流表面光電圧計測装置及びそれを用いた半導体表面の非破壊不純物汚染濃度測定方法を提供する。【解決手段】交流表面光電圧計測装置において、試料台4と、この試料台4にセットされるSiウエハ5と、このSiウエハ5上に所定の空隙を介して配置される交流SPV信号が印加される透明電極8を有する電極固定板6と、前記Siウエハ5に照射される断続光(光子線)10の照射手段と、X軸、Y軸の駆動モータを有する前記照射手段の走査機構とを具備する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
(a)試料台と、
(b)該試料台にセットされる半導体基板と、
(c)該半導体基板上に所定の空隙を介して配置される交流表面光電圧信号が印加される透明電極を有する電極固定板と、
(d)前記半導体基板に照射される断続光の照射手段と、
(e)X軸、Y軸の駆動モータを有する前記照射手段の走査機構とを具備することを特徴とする交流表面光電圧計測装置。
IPC (3件)：
H01L21/66
, G01N27/00
, G01R31/302
H01L21/66 L
, G01N27/00 Z
, G01R31/28 L
2G060AA09
, 2G060AE01
, 2G060AF03
, 2G060AF15
, 2G060EA04
, 2G060EA06
, 2G060EA07
, 2G060EB08
, 2G060HA02
, 2G060KA16
, 2G132AA00
, 2G132AE02
, 2G132AE16
, 2G132AF06
, 2G132AF07
, 2G132AF14
, 2G132AF15
, 4M106AA01
, 4M106BA04
, 4M106CB02
, 4M106DJ04
