特許

J-GLOBAL ID：200903013154607595

面発光半導体レーザおよびその製造方法

発明者： 大礒 義孝 ,  伊藤 義夫 ,  天野 主税 ,  小濱 剛孝 ,  舘野 功太 ,  竹ノ内 弘和 ,  黒川 隆志
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-346354
公開番号（公開出願番号）：特開平9-237936
出願日： 1996年12月25日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：

【要約】【課題】 長波長帯(1.3〜1.55μm帯)の面発光半導体レーザおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 面発光半導体レーザは、Alx1Ga1-x1As層(0≦x1≦1)およびAlx2Ga1-x2As層(0≦x2≦1)からなる第1半導体多層膜;Inx3Ga1-x3Asy3P1-y3層(0≦x3,y3≦1)およびInx4Ga1-x4Asy4P1-y4層(0≦x4,y4≦1)からなる第2の半導体多層膜;Inx5Ga1-x5Asy5P1-y5層(0≦x5,y5≦1)からなる活性層;Inx6Ga1-6xAsy6P1-y6層(0≦x6,y6≦1)およびInx7Ga1-x7Asy7P1-y7層(0≦x7,y7≦1)からなる第3の半導体多層膜;およびAlx8Ga1-x8As層(0≦x8≦1)およびAlx9Ga1-x9As層(0≦x9≦1)を交互に積層した第4半導体多層膜をGaAs基板上に順次積層してなるもので、各多層膜を構成する層は発光波長を屈折率ならびに4で除した値に等しい厚さをそれぞれ有する。

請求項（抜粋）：

発光波長を屈折率ならびに4で除した値に等しい厚さをそれぞれ有するAlx1Ga1-x1As層(0≦x1≦1)およびAlx2Ga1-x2As層(0≦x2≦1)を交互に積層した第1半導体多層膜と、発光波長を屈折率ならびに4で除した値に等しい厚さをそれぞれ有するInx3Ga1-x3Asy3P1-y3層(0≦x3,y3≦1)およびInx4Ga1-x4Asy4P1-y4層(0≦x4,y4≦1)を交互に積層した第2の半導体多層膜と、Inx5Ga1-x5Asy5P1-y5層(0≦x5,y5≦1)を有する活性層と、発光波長を屈折率ならびに4で除した値に等しい厚さをそれぞれ有するInx6Ga1-x6Asy6P1-y6層(0≦x6,y6≦1)およびInx7Ga1-x7Asy7P1-y7層(0≦x7,y7≦1)を交互に積層した第3の半導体多層膜と、発光波長を屈折率ならびに4で除した値に等しい厚さをそれぞれ有するAlx8Ga1-x8As層(0≦x8≦1)およびAlx9Ga1-x9As層(0≦x9≦1)を交互に積層した第4半導体多層膜とをGaAs基板上に順次積層した構造を有することを特徴とする面発光半導体レーザ。