特許
J-GLOBAL ID:200903013158670674

サブマウント

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-181962
公開番号(公開出願番号):特開平9-036274
出願日: 1995年07月18日
公開日(公表日): 1997年02月07日
要約:
【要約】【課題】半導体レーザー素子とヒートシンク間の導電性を有する新規の半導体レーザー素子用のサブマウントであって、高い信頼性を有し且つ小型化が可能なものを得る。【解決手段】絶縁基板の相対する両面に導電パターンが形成され、該両面に存在する導電パターンの少なくとも一部が、例えば、銅、タングステン、モリブデン等の金属ペーストをスルーホール内部に充填した後に焼成して形成された金属ビアホールにより電気的に互いに接続されてなれるサブマウント。
請求項(抜粋):
絶縁基板の相対する両面に導電パターンが形成され、該両面に存在する導電パターンの少なくとも一部が金属ビアホールにより電気的に互いに接続されてなるサブマウント。
IPC (3件):
H01L 23/12 ,  H01L 23/36 ,  H01S 3/18
FI (3件):
H01L 23/12 J ,  H01S 3/18 ,  H01L 23/36 D

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