特許

J-GLOBAL ID：200903013159229238

基板処理装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 藤城 雅隆 ,  守川 敦史 ,  塚本 秀之
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (2件)： 荒船 博司 ,  宮本 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-296774
公開番号（公開出願番号）：特開2009-123946
出願日： 2007年11月15日
公開日（公表日）： 2009年06月04日
要約：

【課題】基板不良が発生するのを未然に回避する。【解決手段】基板処理装置100は、反応容器203、ガス供給管韓312、排気管231、圧力計器420,520、排気装置246、コントローラ240を備える。コントローラ240は、ウエハ200の処理に先立ち、反応容器203内を排気させ、反応容器203内の圧力を所定の設定圧力値とした際に計測される第1の圧力値を基準値とし、前記基準値より小さい所定の第1の圧力範囲と前記基準値より大きい所定の第2の圧力範囲とを予め設定する。コントローラ240は、ウエハ200の処理後に、再度反応容器203内を排気させ、反応容器203内の圧力を前記設定圧力値とした際に測定される第2の圧力値が前記第1の圧力範囲より低い圧力値となった場合と前記第2の圧力範囲より大きい圧力値となった場合とで、互いに異なる是正処理を実行する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板を処理する処理室を有する反応容器と、 前記反応容器に基板処理用のガスを供給するガス供給ラインと、 前記反応容器からガスを排気する排気ラインと、 前記処理室の圧力を測定する圧力計器と、 前記排気ラインに接続される排気装置と、 前記反応容器内での基板の処理に先立ち、前記排気装置に前記反応容器内を排気させ、前記反応容器内の圧力を所定の設定圧力値とした際の前記圧力計器により測定される第1の圧力値を基準値とし、前記基準値より小さい所定の第1の圧力範囲と前記基準値より大きい所定の第2の圧力範囲とを予め設定し、前記反応容器内での基板の処理後に、前記排気装置に前記反応容器内を排気させ、前記反応容器内の圧力を前記設定圧力値とした際の前記圧力計器により測定される第2の圧力値が前記第1の圧力範囲より低い圧力値となった場合と前記第2の圧力範囲より大きい圧力値となった場合とで、互いに異なる是正処理を実行する制御部と、 を備える基板処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/52

FI (2件)：

H01L21/31 B ,  C23C16/52

Fターム (26件)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030CA12 ,  4K030DA01 ,  4K030FA10 ,  4K030GA04 ,  4K030GA06 ,  4K030JA09 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AB33 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AF03 ,  5F045BB08 ,  5F045BB20 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045EB06 ,  5F045GB06 ,  5F045GB15