特許

J-GLOBAL ID：200903013161522104

半導体装置およびその製造方法

発明者： 鴨島 隆夫 ,  竹若 博基 ,  山下 貴司
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-124002
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315687
出願日： 1999年04月30日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：

【要約】【課題】 絶縁層の絶縁性が低下せずかつ接触不良の発生しない信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置は、シリコン基板1と、シリコン基板1の上に形成され、多結晶を含む低温アルミニウム膜4および高温アルミニウム膜5を備える。高温アルミニウム膜5の表面では、結晶粒界により開口部7が形成されている。開口部を形成する側壁7aおよび7b間の距離がシリコン基板1に近づくにつれて小さくなるように側壁7aおよび7bが形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の上に形成され、多結晶を含む導電層とを備え、前記導電層の表面では、結晶粒界により凹部が形成されており、前記凹部を形成する側壁間の距離が前記半導体基板に近づくにつれて小さくなるように前記側壁は形成されている、半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 21/88 N ,  H01L 21/28 301 L

Fターム (24件)：

4M104BB30 ,  4M104BB37 ,  4M104DD33 ,  4M104DD37 ,  4M104DD65 ,  4M104FF18 ,  4M104HH13 ,  4M104HH20 ,  5F033HH08 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033LL08 ,  5F033MM08 ,  5F033MM26 ,  5F033PP14 ,  5F033PP15 ,  5F033PP18 ,  5F033QQ03 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ14 ,  5F033XX02 ,  5F033XX13 ,  5F033XX21 ,  5F033XX31