特許

J-GLOBAL ID：200903013162203134

半導体装置

発明者： 安藤 英子 ,  菊地 広
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-126765
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321780
出願日： 1997年05月16日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の上方から冷却媒体を送風する場合、空間領域9Aには冷却媒体が供給されず、空間領域9Aにおける冷却がなされないので、半導体装置の冷却効果が低下する。【解決手段】 配線基板1と、前記配線基板1の実装面上にフェイスダウン方式で実装される半導体チップ2と、前記半導体チップ2の平面サイズに比べて大きい平面サイズで形成され、かつ前記半導体チップ2の裏面に固定される放熱体3とを有する半導体装置であって、前記放熱体3のチップ固定面側の第1空間領域9Aと、その反対面側の第2空間領域9Bとが通路8を介して連結されている。前記第1空間領域9Aは、前記配線基板1、半導体チップ2、放熱体3の夫々で規定されている。前記通路8は、前記放熱体3に形成された貫通孔8A又は切り込み部8Bで構成されている。

請求項（抜粋）：

配線基板と、前記配線基板の実装面上にフェイスダウン方式で実装される半導体チップと、前記半導体チップの平面サイズに比べて大きい平面サイズで形成され、かつ前記半導体チップの裏面に固定される放熱体とを有する半導体装置であって、前記放熱体のチップ固定面側の第1空間領域と、その反対面側の第2空間領域とが通路を介して連結されていることを特徴とする半導体装置。