特許

J-GLOBAL ID：200903013165240960

記憶装置

発明者： 今川 敏幸
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 稲本 義雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-220023
公開番号（公開出願番号）：特開2000-059260
出願日： 1998年08月04日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】 非接触型メモリカードにおけるループアンテナの送受信感度を高める。【解決手段】 非接触型メモリカード1の表面のフィルムシート16上には、情報の記憶および処理を行うICチップ13(ワイヤボンディング後、エポキシ樹脂で封止)、コンデンサ電極11が実装されており、その周辺部に送受信用のアンテナパターン15がコイル状に形成されている。アンテナパターン15は、スルーホール14を介して裏面のアンテナパターン23に接続されている。ループアンテナの送受信感度を高めるため、アンテナパターン15の内側(コンデンサ電極11の左側)に、磁性体12が塗布、形成されている。フィルムシート24は、フィルムシート16に対向して、その裏側に配置され、フィルムシート24上には、アンテナパターン23が形成されている。アンテナパターン23は、磁束を効率的に拾うために、アンテナパターン15とは重ならない位置に配置されている。

請求項（抜粋）：

情報の記憶および処理を行い、外部装置との間で情報の送受信を行う記憶装置において、電気的な絶縁機能を有する多層構造の絶縁手段と、前記絶縁手段上に実装され、情報の記憶および処理を行う情報処理手段と、多層構造の前記絶縁手段上にそれぞれループ状に形成され、前記外部装置からの電波を受信するか、または前記情報処理手段からの信号を電波によって送信する送受信手段と、前記絶縁手段上であって、ループ状の前記送受信手段の内側に形成された磁束を集中させる磁束集中手段とを備えることを特徴とする記憶装置。

IPC (4件)：

H04B 1/59 ,  G06K 19/07 ,  H01Q 7/06 ,  H04B 5/02

FI (5件)：

H04B 1/59 ,  H01Q 7/06 ,  H04B 5/02 ,  G06K 19/00 H ,  G06K 19/00 J

Fターム (12件)：

5B035AA00 ,  5B035BB09 ,  5B035CA01 ,  5B035CA23 ,  5K012AA01 ,  5K012AB03 ,  5K012AB05 ,  5K012AC06 ,  5K012AC08 ,  5K012AC10 ,  5K012BA07 ,  5K012BA18