特許

J-GLOBAL ID：200903013169623074

単結晶製造方法

発明者： 川西 荘六 ,  伊藤 誠人
出願人/特許権者： 住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 生形 元重 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-095166
公開番号（公開出願番号）：特開平10-273392
出願日： 1997年03月27日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：

【要約】【課題】 カスプ磁界を印加した原料融液から単結晶を引き上げる際に、引き上げ方向の酸素濃度を高精度に均一化する。坩堝底部の局部的な溶損、及び単結晶の多結晶化を抑制する。【解決手段】 坩堝1の周囲及び下方に配置したサイドヒータ9及びボトムヒータ10により、坩堝1内の原料融液2を加熱する。単結晶3の引き上げ中に坩堝1の回転数を一定とし、引き上げの進行に伴ってトータル加熱熱量Qに対するボトムヒータ10による加熱熱量qの比(q/Q)を大きくする。

請求項（抜粋）：

CZ法により坩堝内の原料融液から単結晶を引き上げる単結晶製造方法において、炉外に配置され上下に同極対向磁石を有する磁界形成手段により坩堝内の原料融液に軸対称で且つ放射状のカスプ磁界を印加すると共に、坩堝の周囲及び下方に配置したサイドヒータ及びボトムヒータにより坩堝内の原料融液を周囲及び下方から加熱し、単結晶の引き上げ中にトータル加熱熱量Qに対するボトムヒータによる加熱熱量qの比(q/Q)を変化させることを特徴とする単結晶製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 15/00

FI (2件)：

C30B 29/06 502 G ,  C30B 15/00 P

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 単結晶シリコンロッドの製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-215973   出願人：エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
• 特開平2-229786