特許

J-GLOBAL ID：200903013175253050

シリコンナノ粒子電界効果トランジスタおよびトランジスタメモリーデバイス

発明者： ネイフィー,ムニア エイチ ,  ザリーン,ジョエル ,  ベロモイン,ジェナディ
出願人/特許権者： ザ、ボード、オブ、トラスティーズ、オブ、ザ、ユニバシティー、オブ、イリノイ
代理人 (1件)： 斉藤 武彦 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-557090
公開番号（公開出願番号）：特表2003-522419
出願日： 2001年02月02日
公開日（公表日）： 2003年07月22日
要約：

【要約】シリコンナノ粒子(18)トランジスタ(30、32、34)およびトランジスタメモリーデバイスである。本発明によるトランジスタは、電界効果トランジスタ(30、32、34)のゲート領域(34)内に1nm程度の大きさのシリコンナノ粒子(18)を有する。結果として得られるトランジスタは、単一電子の流れがトランジスタの動作を制御するトランジスタである。室温動作が、照射の助けによる新しいトランジスタ構造によって可能であり、その照射は、量子構造内で電子が流れるのに必要な正孔を生成するために、シリコンナノ粒子に向けて照射される。また、本発明によるトランジスタは、メモリーデバイスの基礎をなす。そのデバイスは、磁気効果の代わりに、電荷を蓄積するフラッシュメモリーデバイスである。

請求項（抜粋）：

単一電子トランジスタデバイスであって、 ソース(17a)と、 ドレイン(17b)と、 ゲート領域(20)を有するゲート(17c)と、 前記ゲート領域内に打ち込まれたシリコンナノ粒子と、 を備えた単一電子トランジスタデバイス。

IPC (9件)：

H01L 29/66 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/15 ,  H01L 29/06 601 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (7件)：

H01L 29/66 S ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/15 Z ,  H01L 29/06 601 N ,  H01L 29/78 301 J ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

Fターム (27件)：

5F083EP02 ,  5F083EP07 ,  5F083EP09 ,  5F083EP17 ,  5F083EP23 ,  5F083EP42 ,  5F083ER03 ,  5F083ER14 ,  5F083ER22 ,  5F083ER30 ,  5F083FZ01 ,  5F083GA01 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083JA32 ,  5F083PR05 ,  5F101BA07 ,  5F101BA12 ,  5F101BA54 ,  5F101BB05 ,  5F101BE07 ,  5F101BH13 ,  5F140AA34 ,  5F140AC20 ,  5F140AC32 ,  5F140BA01 ,  5F140BB19