特許
J-GLOBAL ID:200903013176089431

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 筒井 大和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-288547
公開番号(公開出願番号):特開平7-142480
出願日: 1993年11月17日
公開日(公表日): 1995年06月02日
要約:
【要約】【目的】 配線容量のばらつきが小さい高性能なものを容易に製作できる半導体集積回路装置の製造技術を得る。【構成】 配線構造における半導体基板1上に設けられている膜厚がToxである絶縁膜2表面に、一定のピッチ距離Pをもって配置されており、一定の膜厚Twを有する複数の電気配線膜10〜12における前記ピッチ距離Pは、0.97×Tw +0.41×Toxの値よりも大きく、2.8×Tw +3.4×Toxの値よりも小さい値としたものである。電気配線膜における配線容量を規定するパラメータである電気配線膜間のピッチ距離、電気配線膜の膜厚、電気配線膜下の絶縁膜の膜厚と、電気配線膜の配線容量との関係を明確にし、電気配線膜における配線容量とそのばらつきを最小にし得た配線構造を実現している。
請求項(抜粋):
複数の半導体素子が形成されている半導体基板と、前記半導体基板上に設けられており、膜厚がToxである絶縁膜と、前記絶縁膜表面に一定のピッチ距離Pをもって配置されており、一定の膜厚Tw を有する複数の電気配線膜と、前記電気配線膜の相互間に埋め込まれている絶縁膜とからなり、前記電気配線膜における前記ピッチ距離Pは、0.97×Tw +0.41×Toxの値よりも大きく、2.8×Tw +3.4×Toxの値よりも小さい値であることを特徴とする半導体集積回路装置。
FI (2件):
H01L 21/88 Z ,  H01L 21/88 A

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