薄膜トランジスタ型液晶表示素子とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：瀬谷徹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-108213
公開番号（公開出願番号）：特開平11-024108
出願日： 1998年04月17日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：

【要約】【課題】製造工数を減少させることにより、製造コストを削減することができる液晶表示素子を提供する。【解決手段】第1基板と、前記第1基板に対向する第2基板と、前記第1基板の対向面の一部分に形成されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子の形成された前記第1基板の対向面全面に形成されたカラーフィルタ層と、前記第1基板の対向面の他部分上に位置する前記カラーフィルタ層上部に形成され前記スイッチング素子と電気的に連結される第1電極と、前記第2基板の対向面のうち前記スイッチング素子に該当する部分に形成されたブラックマトリクスと、前記ブラックマトリクスの形成された前記第2基板の対向面全面に形成された第2電極とを備える構成とする。

請求項（抜粋）：

第1基板と、前記第1基板に対向する第2基板と、前記第1基板の対向面の一部分に形成されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子の形成された前記第1基板の対向面全面に形成されたカラーフィルタ層と、前記第1基板の対向面の他部分上に位置する前記カラーフィルタ層上部に形成され前記スイッチング素子と電気的に連結される第1電極と、前記第2基板の対向面のうち前記スイッチング素子に該当する部分に形成されたブラックマトリクスと、前記ブラックマトリクスの形成された前記第2基板の対向面全面に形成された第2電極とを備えることを特徴とする薄膜トランジスタ型液晶表示素子。

IPC (2件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1335 505

FI (2件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1335 505

引用特許：

審査官引用 (3件)

液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-228849 出願人：東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
アクティブマトリックス液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-089809 出願人：セイコーエプソン株式会社
液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-260006 出願人：凸版印刷株式会社

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