特許

J-GLOBAL ID：200903013180911910

レティクル検査方法および検査装置

発明者： 高山 尚久
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-323264
公開番号（公開出願番号）：特開平11-160039
出願日： 1997年11月25日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】 レーザ干渉計が環境変化の影響を受けても、適切に補正された参照画像を合成して光学画像と比較して、高精度のレティクル検査を行なう。【解決手段】 パターンが描画されたレティクルにレーザを照射し(m)その透過光から光学画像を求め(p)、光学画像を、パターンを描画する時に用いられた作画データを変換して合成された参照画像(u)と比較して、パターンの欠陥を検出する(w)。参照画像は、前回のパターン欠陥検出時に求めた偏差データに基づいて補正されている。偏差データは、レーザ干渉計が環境変化の影響を受ける前に測定した終了位置データと開始位置データとの差(初期距離値)と、環境変化の影響を受けた後に測定した終了位置データと開始位置データとの差(距離データ)との差であり、環境変化の影響を受け難いスケールを利用して求める(t)。

請求項（抜粋）：

レティクルが置かれたXYテーブルを移動し該XYテーブルの相対位置をレーザ干渉計により測定しながら、予めパターンが描画されたレティクルに光ビームを照射しその透過光を受光して光学画像を求め、該光学画像を、前記パターンを描画する時に用いられた作画データを変換して合成された参照画像と比較して、前記パターンの欠陥を検出するレティクル検査方法であって、前記レーザ干渉計よりも環境変化の影響が小さく、前記XYテーブルの位置を検出するスケールを設け、該スケールを用いて、環境変化による前記レーザ干渉計の測定誤差である偏差データを求める工程と、前記作画データから前記偏差データ分だけ補正した前記参照画像を合成する工程とを含むことを特徴とするレティクル検査方法。