特許

J-GLOBAL ID：200903013181400765

可変抵抗素子とその製造方法および可変抵抗素子を備えた集積回路

発明者： ▲高▼澤 浩幸 ,  石川 恭輔 ,  加賀谷 修 ,  大石 喜久
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-022357
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235637
出願日： 1994年02月21日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：

【要約】【目的】抵抗値を広い範囲で連続的に線形制御できる可変抵抗素子を得る。【構成】(a)は可変抵抗素子の平面図、(b)は(a)のX-X’における断面図である。半絶縁性GaAs基板0上にp形GaAs層11、抵抗体となるn形GaAs層12およびp形GaAs層13が順次積層され、この表面を覆う二酸化珪素膜54を貫通して、オーミック電極5,6,6’が設けられている。電極6-6’間の抵抗値は、電極5に印加する電圧によりほぼ線形に変化する。ここで、p形GaAs層11,13の不純物濃度は1×1017/cm3よりも大きく、かつ、n形GaAs層12の不純物濃度に対するp形GaAs層11,13の不純物濃度の比は0.05以上に設定する。

請求項（抜粋）：

第1導電形の半導体層の電位により第2導電形の半導体層の抵抗値が制御される可変抵抗素子であって、第1導電形の半導体層の不純物のシート濃度に対する第2導電形の半導体層の不純物のシート濃度の比が0.3以上2未満であり、かつ、第1導電形の半導体層の不純物濃度が少なくとも1×1017/cm3であることを特徴とする可変抵抗素子。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822