特許
J-GLOBAL ID：200903013186222547
SiC単結晶の成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-056036
公開番号（公開出願番号）：特開平7-267795
出願日： 1994年03月25日
公開日（公表日）： 1995年10月17日
要約：
【要約】【目的】 種結晶と結晶方位の異なる結晶グレインの発生を抑え、良質のSiC単結晶インゴットを成長させる方法を提供する。【構成】 昇華再結晶法において、SiC単結晶の(0001)基底面に、垂直な面から【外1】SiC単結晶の成長方法。
請求項（抜粋）：
昇華再結晶法において、種結晶としてSiC単結晶の(0001)基底面に垂直な面から【外1】SiC単結晶の成長方法。
IPC (2件)：
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