特許
J-GLOBAL ID:200903013190921956
不揮発性半導体メモリを用いた記憶装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
作田 康夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-113197
公開番号(公開出願番号):特開2000-306389
出願日: 1999年04月21日
公開日(公表日): 2000年11月02日
要約:
【要約】【課題】フラッシュメモリなどの不揮発性半導体メモリを用いた記憶装置において、セクタリード・コマンドに対し、高速な記憶装置を提供する。【解決手段】ホストコンピュータ2が読み出さないセクタデータもデータバッファ13に格納する。続けて、ホストコンピュータ2がセクタデータの読み出しを行うと、既にデータバッファ13にセクタデータが格納されているので、フラッシュメモリ17からのデータ転送時間を短縮でき、高速なセクタリードを提供できる。
請求項(抜粋):
ホストコンピュータに接続可能な記憶装置であって、該記憶装置は、該ホストコンピュータが書き込むセクタデータを格納するための不揮発性半導体メモリと、該ホストコンピュータとの接続手段と、該不揮発性半導体メモリの制御手段と、該ホストコンピュータによるセクタデータの読み出しおよび書き込みにおいて一時的に使用されるデータバッファを有し、該不揮発性半導体メモリは、多数の不揮発性メモリセルから構成され、該メモリセルの集合によって一つのブロックを構成し、該ブロックにおいて一括消去可能であり、該ブロックは複数のセクタデータを格納可能であり、該ホストコンピュータによるセクタデータの読み出しにおいて、該不揮発性半導体メモリの該ブロックに格納されている全セクタデータを常に一つのコマンドで読み出すことを特徴とする不揮発性半導体メモリを用いた記憶装置。
IPC (3件):
G11C 16/02
, G06F 12/06 560
, G06F 12/08
FI (3件):
G11C 17/00 601 T
, G06F 12/06 560 A
, G06F 12/08 D
Fターム (13件):
5B005JJ12
, 5B005KK12
, 5B005MM22
, 5B005NN01
, 5B005NN22
, 5B005UU12
, 5B025AD04
, 5B025AD05
, 5B025AD08
, 5B025AE05
, 5B060AC20
, 5B060CA04
, 5B060CA06
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