特許
J-GLOBAL ID:200903013191000510

半導体集積回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-264458
公開番号(公開出願番号):特開平6-120426
出願日: 1992年10月02日
公開日(公表日): 1994年04月28日
要約:
【要約】【目的】マスタースライス方式のICにおいて、ノンコネクトピンに保護ダイオード回路を接続することにより、パッドとIC基盤との間の絶縁体を破壊することなく信頼性の高いICを提供する。【構成】半導体チップ1上のパッド3はボンディングワイヤ2に接続されているが、未使用I/O部5に接続されていないノンコネクトピン6を有するICにおいて、ノンコネクトピン6の入力端子9を介してカソードからアノードを通して電源に接続する第1のダイオードD1と、アノードからカソードを通して接地に接続する第2のダイオードD2を備えている。
請求項(抜粋):
半導体チップと、該半導体チップ上のパッドと、該パッドに接続されたボンディングワイヤと保護ダイオード回路を介して使用I/O部に接続するコネクトピンと、未使用I/O部に接続されていないノンコネクトピンとを有するマスタースライス方式の半導体集積回路において、前記ノンコネクトピンの入力端子をカソードからアノードを通して電源に接続する第1のダイオードとアノードからのカソードを通して接地に接続する第2のダイオードを備えた保護ダイオード回路と、アノードからカソードを通して接地に接続するダイオードのみを備えた保護ダイオード回路とのうちのいずれか一方の保護ダイオード回路を介して前記未使用I/O部に接続したことを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2件):
H01L 27/04 ,  H01L 21/82

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