特許

J-GLOBAL ID：200903013193076521

白金と炭化ケイ素との間のオーム接点構造体

発明者： グラス,ロバート・シー ,  パルモアー,ジョン・ダブリュー ,  デービス,ロバート・エフ ,  ポーター,リサ・スペルマン
出願人/特許権者： クリー・リサーチ・インコーポレーテッド ,  ノース・キャロライナ・ステイト・ユニバーシティ
代理人 (1件)： 湯浅 恭三 (外6名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-507541
公開番号（公開出願番号）：特表平8-504298
出願日： 1993年09月10日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：

【要約】金属の仕事関数が金属とp形半導体との間のオーム接点を形成するために通常は不充分である、例えば白金のような高仕事関数金属と例えば炭化ケイ素のような広バンドギャップ半導体との間のp形オーム接点構造体の製造方法と得られるオーム接点構造体。この構造体はオーム特徴を維持しながら焼きなましに耐えることができる。このオーム接点構造体は、例えば炭化ケイ素のような、単結晶広バンドギャップ半導体材料部分と、この半導体部分上の高仕事関数金属から形成された接点と、単結晶部分と金属接点との間のドープトp形半導体材料の層とを含む。ドープト層は、金属と半導体材料との間にオーム挙動を与えるために充分な濃度のp形ドーパントを有する。

請求項（抜粋）：

単結晶炭化ケイ素部分と前記炭化ケイ素部分上の白金接点とを含む、オーム特徴を保持しながら焼きなましに耐えることができる、白金と炭化ケイ素との間のオーム接点構造体であって、 前記単結晶部分と前記白金接点との間にドープトp形炭化ケイ素層を含み、前記ドープト層が前記炭化ケイ素部分と前記白金接点との間にオーム挙動を与えるために充分な濃度のp形ドーパントを有することを特徴とする前記オーム接点構造体。

FI (2件)：

H01L 29/46 R ,  H01L 29/46 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-196421
  
• 特開昭50-110055
  
• 特公昭47-033546