特許
J-GLOBAL ID：200903013198328677
レチクルの欠陥検出方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-237425
公開番号（公開出願番号）：特開平5-053299
出願日： 1991年08月24日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】【目的】 レチクルの微細な欠陥を検出するようにする。【構成】 被検査レチクルを介して欠陥検出用のレジスト膜に対して原寸パターンよりも大きなパターンが投影されるように本来の縮小率と異なる縮小率で露光する。そして、現像後レジスト膜を検査して欠陥検出する。【効果】 同じ分解能の欠陥検出装置を用いても従来よりも微細な欠陥を検出できる。
請求項（抜粋）：
ICパターンの原寸法を拡大したパターンが形成された被検査レチクルにより原寸法よりも大きなパターンが投影されるようにレジスト膜に対して露光処理を施し、その後、現像し、しかる後、該レジスト膜のパターンを検査することにより上記被検査レチクルの欠陥を検出することを特徴とするレチクルの欠陥検出方法
IPC (3件)：
G03F 1/08
, G01N 21/88
, H01L 21/027
