特許
J-GLOBAL ID：200903013200110153
半導体装置の製造方法及び製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
二瓶 正敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-152842
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326360
出願日： 1992年05月20日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】 エピタキシャル工程前に形成される下地パターンと、エピタキシャル工程後のリソグラフィ工程を経て形成されるパターンとの位置合せ精度を上げ得、これによって集積度を高めることのできる半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する。【構成】 表面の一部に不純物の高濃度領域3が形成された半導体基板1上に、エピタキシャル成長により高濃度領域よりも不純物濃度の低いエピタキシャル層2を形成し、エピタキシャル層上から参照光を放射すると共に、回折光を検出、処理することにより次のリソグラフィ工程の位置合せ信号を得る半導体装置の製造方法において、参照光として波長が10μm以上の赤外光線を用いる。かかる半導体装置の製造装置において、参照光の光源として波長が10μm以上の赤外光線発生装置17を用いる。
請求項（抜粋）：
表面の一部に不純物の高濃度領域が形成された半導体基板上に、エピタキシャル成長により前記高濃度領域よりも不純物濃度の低いエピタキシャル層を形成し、前記エピタキシャル層上から参照光を放射すると共に、回折光を検出、処理することにより次のリソグラフィ工程の位置合せ信号を得る半導体装置の製造方法において、前記参照光として波長が約10μm以上の赤外光線を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G01B 11/00
, G03F 9/00
