特許
J-GLOBAL ID:200903013201350255
物質表層の物性の探査方法及びその装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
清水 守
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-185686
公開番号(公開出願番号):特開平10-031100
出願日: 1996年07月16日
公開日(公表日): 1998年02月03日
要約:
【要約】【課題】 物質表層の電子状態と触媒作用等の活性度を原子的尺度及びナノ秒以上の時間精度で検査する方法及び装置を提供する。【解決手段】 ナノ秒時間領域のパルス低速陽子線1を薄膜状の探査試料2裏面に集束照射し、この探査試料2表面には探針3を対向接触移動させ、この接触間隙にポジトロニューム分子Psn (n≧2,整数)を発生せしめ、その干渉性消滅ガンマ線を検出して、ポジトロニューム分子Psn を陽電子及びポジトロニュームPsと区別して観測することにより、物質の表層の物性、特に触媒作用等の活性度を原子的尺度及びナノ秒以上の時間精度で探査する。
請求項(抜粋):
ナノ秒時間領域のパルス低速陽電子線を薄膜状の探査試料裏面に集束照射し、該探査試料表面には水平移動可能な探針を対向接触させて、この接触間隙に表面陽電子を集めてポジトロニューム分子Psn (n≧2、整数)を合成せしめ、その干渉性消滅ガンマ線を検出して、ポジトロニューム分子Psn を陽電子及びポジトロニュームPsと区別して観測することにより、物質表層の物性を原子的尺度及びナノ秒以上の合成反応時間精度で探査することを特徴とする物質表層の物性の探査方法。
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