特許
J-GLOBAL ID：200903013204904189
レーザーアレイ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 淳 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-312314
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224523
出願日： 1993年12月13日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：
【要約】【目的】 異なる波長又は異なる偏光を有するマルチビームを発生しうるマルチビーム半導体レーザーを提供する。【構成】 接点25、基板、層11〜14及び接点26によって構成される右側の構造体は、層12に能動領域を有する第一のQWレーザーを形成する。接点27、層15〜19及び接点28によって構成される中央部と左側との構造体は、層17に能動領域を有する第二のQWレーザーを形成する。能動領域層12及び17を異なる構成成分を有するように選択することによって、得られるレーザービームが異なった波長を有するようになる。
請求項（抜粋）：
レーザーアレイであって:(a)半導体基板部分を有する共通の基体と、(b)該基板部分上に積層された半導体層であって、それぞれ第一と第二のパラメーターを有する、それぞれ第一と第二の放射ビームを発生するための、それぞれ第一と第二のレーザー放射QW能動層を支持可能な第一及び第二のセットの層が、該基板部分とともに又は基板部分を有さず形成される該積層された半導体層と、(c)該第一の層のセットによって、第一のパラメーターを有する該第一の放射ビームを発生するための該第一の能動層を有する第一のQWレーザーを形成するように該基体の第一の部分を接触する手段と、(d)該第二の層のセットによって、第二のパラメーターを有する該第二の放射ビームを発生するための該第二の能動層を有する第二のQWレーザーを形成するように該基体の第二の部分を接触する手段と、を含むことを特徴とするレーザーアレイ。(c)該基材の第一の部分を該第一の層のセットによって、第一のパラメーターを有する該第一の放射ビームを発生するための該第一の能動層を有する第一のQWレーザーを形成するように接続する手段と、(d)該基材の第二の部分を該第二の層のセットによって、第二のパラメーターを有する該第二の放射ビームを発生するための該第二の能動層を有する第二のQWレーザーを形成するように接続する手段と、を含むことを特徴とする。
IPC (2件)：
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