特許
J-GLOBAL ID:200903013206484497

フレキシブル回路基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 田治米 登 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-262148
公開番号(公開出願番号):特開平9-018114
出願日: 1995年09月14日
公開日(公表日): 1997年01月17日
要約:
【要約】【課題】 フレキシブル回路基板の形成精度を向上させ、かつ生産性を高くし、製造コストを低減させる。【解決手段】 金属箔3からなる回路の少なくとも一方の面がポリイミド層11-1で被覆されているフレキシブル回路基板を、(1) 金属箔3の一方の面上にポリイミド前駆体層11及びフォトレジスト層12を積層する工程、(2) フォトレジスト層12を露光、現像することによりパターニングする工程、(3) パターニングしたフォトレジスト層12をマスクとしてポリイミド前駆体層11をエッチングする工程、(4) フォトレジスト層12を剥離し、ポリイミド前駆体層11を熱硬化させてポリイミド層11-1とする工程、(5) 金属箔3をエッチングによりパターニングする工程、及び(6) パターニングした金属箔3上に絶縁被覆層を形成する工程を行うことにより形成する。(6) の工程としては、工程 (1)〜(4) を繰り返すことが好ましい。
請求項(抜粋):
金属箔からなる回路の少なくとも一方の面がポリイミド層で被覆されているフレキシブル回路基板の製造方法であって、(1) 金属箔の一方の面上にポリイミド前駆体層及びフォトレジスト層を積層する工程、(2) フォトレジスト層を、フォトマスクを介して露光し、現像することによりパターニングする工程、(3) パターニングしたフォトレジスト層をマスクとしてポリイミド前駆体層をエッチングする工程、(4) フォトレジストを剥離し、ポリイミド前駆体層を熱硬化させてポリイミド層を形成する工程、(5) 金属箔をエッチングによりパターニングする工程、及び(6) パターニングした金属箔上に絶縁被覆層を形成する工程を有することを特徴とするフレキシブル回路基板の製造方法。
IPC (3件):
H05K 3/06 ,  H05K 3/28 ,  H05K 3/40
FI (3件):
H05K 3/06 A ,  H05K 3/28 F ,  H05K 3/40 C

前のページに戻る