特許
J-GLOBAL ID：200903013213252607
半導体集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-247763
公開番号（公開出願番号）：特開2002-064181
出願日： 2000年08月17日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、半導体基板を介したクロストークを低減することができ、回路ブロック間の距離を大きく取る必要がなく、チップ面積及びコストの増大を生じることのない半導体集積回路を提供することを目的とする。【解決手段】 雑音を発生する第1の回路ブロック34のグランドまたは電源の雑音が、他の第2の回路ブロック32に漏れ込むのを相殺するように半導体基板の電位を能動的に制御する基板雑音除去回路38を有することにより、半導体基板を介したクロストークを低減することができ、回路ブロック間の距離を大きく取る必要がなく、チップ面積及びコストの増大を生じることがない。
請求項（抜粋）：
複数の回路ブロックを1つの半導体基板上に共通に形成した半導体集積回路において、雑音を発生する第1の回路ブロックのグランドまたは電源の雑音が、他の第2の回路ブロックに漏れ込むのを相殺するように半導体基板の電位を能動的に制御する基板雑音除去回路を有することを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2件)：
Fターム (6件)：
5F038AR30
, 5F038AZ06
, 5F038BB08
, 5F038DF06
, 5F038DF12
, 5F038EZ20
