特許

J-GLOBAL ID：200903013214303329

半導体デバイスの製法

発明者： 白木 靖寛 ,  深津 晋 ,  奥村 健治 ,  奥 秀彦
出願人/特許権者： 大同酸素株式会社
代理人 (1件)： 西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-142312
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335237
出願日： 1992年06月03日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】 従来にない強い発光を示す高品質なSi-SiGeヘテロ接合構造の半導体結晶薄膜を成長させ、光電子デバイス等に用いられる性能も併有する半導体デバイスを製造する方法を提供する。【構成】 個体ソース分子線エピタキシャル成長法を利用して、基板A上にSi-SiGeヘテロ接合構造の半導体結晶薄膜を成長させ、半導体デバイスを製造する方法であって、上記半導体結晶薄膜の成長の際に、上記基板Aの温度を600〜900°Cに設定する。

請求項（抜粋）：

個体ソース分子線エピタキシャル成長法を利用して、基板上にSi-SiGeヘテロ接合構造の半導体結晶薄膜を成長させ、半導体デバイスを製造する方法であって、上記半導体結晶薄膜の成長の際に、上記基板の温度を600〜900°Cに設定することを特徴とする半導体デバイスの製法。

IPC (4件)：

H01L 21/203 ,  C30B 23/08 ,  H01L 33/00 ,  H01L 27/15

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-159415
  
• 特開昭63-158832
  
• 特開昭62-231202