特許
J-GLOBAL ID：200903013215064492
半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-008692
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277854
出願日： 2000年01月18日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：
【要約】【課題】 クラック等の結晶性の低下を抑えた状態で、電流ブロック層を十分な厚みだけ形成することが出来、また、Al組成、In組成等を大きくすることが出来、電流ブロック層における光閉じ込め効果或いは光吸収効果に優れた半導体レーザを提供する。【解決手段】 InGaNからなる活性層7を有する半導体レーザであって、活性層7に流れる電流を狭窄する電流ブロック層12がGaNからなる第1層12aと、AlGaNからなる第2層12bとが交互に繰り返し積層されている超格子構造であることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
窒化物系の半導体材料からなる活性層を有する半導体レーザであって、前記活性層に流れる電流を狭窄する電流ブロック層が複数の層からなる超格子構造であることを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
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