特許

J-GLOBAL ID：200903013218419712

半導体薄膜素子その応用装置および半導体薄膜素子の製造方法

発明者： 岩城 忠雄 ,  山崎 恒夫 ,  松下 克樹 ,  千本松 茂 ,  高野 隆一
出願人/特許権者： セイコー電子工業株式会社
代理人 (1件)： 林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-122024
公開番号（公開出願番号）：特開平5-313201
出願日： 1992年05月14日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：

【要約】【目的】 単結晶シリコンウエハを用いたシリコン回路と同等またはそれ以上の電気特性および微細構造を有する薄膜シリコン回路を形成可能な半導体素子に関する。【構成】 半導体薄膜素子は、熱酸化シリコン膜と酸化シリコンあるいは窒化シリコン膜とに狭持された単結晶シリコン薄膜と、素子平滑化層と、含フッ素エポキシ系樹脂接着層と、担体基板とを順に形成してなる構造を有する。【効果】 前記単結晶シリコン薄膜にはバルクシリコン単結晶と同等のサブミクロンでの精細な構造を持たせることができ、担体基板としてガラス基板やシリコン単結晶基板を用いることができるため、当該半導体薄膜素子は100万以上の画素を持った透光性の光検出領域または光変調領域を有するコンパクトで高密度、高精細な半導体薄膜素子または半導体光素子とすることができる。

請求項（抜粋）：

熱酸化シリコン膜と、酸化シリコン膜あるいは窒化シリコン膜とに狭持され半導体回路素子が形成されている単結晶シリコン薄膜と、素子平滑化層と、樹脂接着層と、担体基板とを順に形成してなる半導体薄膜素子。

IPC (6件)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784