特許

J-GLOBAL ID：200903013219740476

半導体装置

発明者： 岡田 昌和
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-155399
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347351
出願日： 2002年05月29日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【課題】 プローブテストにおいてプローブ針に過剰な圧力を加えなくともパッド領域表面の酸化膜を確実に剥離でき、良好なピンコンタクトを確保できる半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置100のパッド領域5では、Cu配線層のCu層21上に窒化膜3および層間酸化膜4で構成される複数の突起52が形成されており、この突起52とCu層21との上にはアルミウム電極6が形成されている。このアルミウム電極6は、その上面に酸化膜のアルミナ層64が形成されるとともに、突起52に応じた起伏を有している。このような構成のパッド領域5により、プローブテストにおいてプローブ針との接触面積が減少するため、プローブ針に過剰な圧力を加えなくともパッド領域5表面の酸化膜を確実に剥離でき、良好なピンコンタクトを確保できる。

請求項（抜粋）：

半導体装置であって、(a)半導体素子部を有する半導体基板と、(b)前記半導体基板の主面上に形成された配線層と、(c)所定のパッド領域において、前記配線層の上に選択的に形成された少なくともひとつの突起を有する突起層と、(d)前記パッド領域内において前記突起層の露出面と前記配線層の露出面とによって形成される凹凸面を覆うことにより、前記凹凸面に沿った起伏を有する導電層とを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/60 301 N ,  H01L 21/88 T

Fターム (27件)：

5F033HH08 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK11 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033MM17 ,  5F033MM20 ,  5F033MM26 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN34 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR22 ,  5F033SS15 ,  5F033VV07 ,  5F033VV12 ,  5F033XX17 ,  5F033XX31 ,  5F044EE04 ,  5F044EE06 ,  5F044EE07 ,  5F044EE21