光通信デバイス用基材、その製造方法及びそれを用いた光通信デバイス

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-344610
公開番号（公開出願番号）：特開2003-146693
出願日： 2001年11月09日
公開日（公表日）： 2003年05月21日
要約：

【要約】【目的】低温あるいは高温環境に長期間曝されても、負膨張性を示すセラミックスあるいはガラスセラミックスからなる基材の寸法が、ほとんど変化しない光通信デバイス用基材、その製造方法及びそれを用いた光通信デバイスを提供すること。【構成】 -40〜100°Cの温度範囲において-10〜-120×10-7/°Cの負の熱膨張係数を有するセラミックスあるいはガラスセラミックスからなる光通信デバイス用基材において、光通信デバイス用基材に対し、-40°Cから100°Cまで昇温した後に100°Cより-40°Cまで降温する熱サイクル処理を施し、熱サイクル処理前の-40°Cでの基材の寸法に対する熱サイクル処理後の-40°Cでの基材の寸法変化量が20ppm以下であること。

請求項（抜粋）：

-40〜100°Cの温度範囲において-10〜-120×10-7/°Cの負の熱膨張係数を有するセラミックスあるいはガラスセラミックスからなる光通信デバイス用基材において、光通信デバイス用基材に対し、-40°Cから100°Cまで昇温した後に100°Cより-40°Cまで降温する熱サイクル処理を施し、熱サイクル処理前の-40°Cでの基材の寸法に対する熱サイクル処理後の-40°Cでの基材の寸法変化量が20ppm以下であることを特徴とする光通信デバイス用基材。

IPC (3件)：

C03C 3/097 , G02B 6/00 346 , G02B 6/10

FI (3件)：

C03C 3/097 , G02B 6/00 346 , G02B 6/10 C

Fターム (64件)：

2H038BA21 , 2H038CA52 , 2H050AC82 , 2H050AC84 , 2H050AD00 , 4G062AA18 , 4G062BB06 , 4G062DA06 , 4G062DB05 , 4G062DC01 , 4G062DD02 , 4G062DE01 , 4G062DF01 , 4G062EA03 , 4G062EB01 , 4G062EC01 , 4G062ED02 , 4G062EE01 , 4G062EF01 , 4G062EG01 , 4G062FA01 , 4G062FB02 , 4G062FC02 , 4G062FC03 , 4G062FD01 , 4G062FE01 , 4G062FF01 , 4G062FG01 , 4G062FH01 , 4G062FJ01 , 4G062FK01 , 4G062FL01 , 4G062GA01 , 4G062GA10 , 4G062GB01 , 4G062GC01 , 4G062GD01 , 4G062GE01 , 4G062HH01 , 4G062HH03 , 4G062HH05 , 4G062HH07 , 4G062HH09 , 4G062HH11 , 4G062HH13 , 4G062HH15 , 4G062HH17 , 4G062HH20 , 4G062JJ01 , 4G062JJ03 , 4G062JJ05 , 4G062JJ07 , 4G062JJ10 , 4G062KK01 , 4G062KK03 , 4G062KK05 , 4G062KK07 , 4G062KK10 , 4G062MM21 , 4G062MM40 , 4G062NN30 , 4G062PP13 , 4G062QQ02 , 4G062QQ11

前のページに戻る