特許

J-GLOBAL ID：200903013223622836

レベルシフト回路及びインバータ装置

発明者： 舟木 英之 ,  中川 明夫 ,  小島 勉
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-093919
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286687
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】 チップ面積や消費電力の増大を招くことなく誤動作を防止することができ、各種ドライブ回路に用いるのに適する。【解決手段】 出力をフローティング電位とするブートストラップ方式に使用されるレベルシフト回路において、電源Vcc端とフローティング電位Vss端との間に直列接続された第1のp型MOSトランジスタ21及び第1のn型MOSトランジスタ22から構成されるインバータ回路と、このインバータ回路の入力端と電源VBS端との間に接続された第2のp型MOSトランジスタ25と、インバータ回路の入力端と接地端GNDとの間に接続された高耐圧の第2のn型MOSトランジスタ26とを具備し、第2のp型MOSトランジスタ25は、第2のn型MOSトランジスタ26がONするときはOFFで、且つフローティング電位が変化する際にはONとなるように制御される。

請求項（抜粋）：

出力をフローティング電位とするブートストラップ方式に使用されるレベルシフト回路において、電源端とフローティング電位端との間に直列接続された第1のp型MOSトランジスタ及び第1のn型MOSトランジスタから構成されるインバータ回路と、このインバータ回路の入力端と前記電源端との間に接続された第2のp型MOSトランジスタと、前記インバータ回路の入力端と接地端との間に接続された高耐圧の第2のn型MOSトランジスタとを具備し、第2のp型MOSトランジスタは、第2のn型MOSトランジスタがONするときはOFFで、且つフローティング電位が変化する際にはONとなるように制御されることを特徴とするレベルシフト回路。

IPC (3件)：

H03K 17/06 ,  H02M 7/5387 ,  H03K 17/687

FI (3件)：

H03K 17/06 C ,  H02M 7/5387 Z ,  H03K 17/687 F

Fターム (32件)：

5H007AA06 ,  5H007CA01 ,  5H007CB05 ,  5H007CC07 ,  5H007DB03 ,  5H007DB09 ,  5J055AX12 ,  5J055AX21 ,  5J055AX44 ,  5J055BX16 ,  5J055CX07 ,  5J055CX20 ,  5J055DX09 ,  5J055DX43 ,  5J055DX56 ,  5J055DX59 ,  5J055DX84 ,  5J055EX01 ,  5J055EX11 ,  5J055EY01 ,  5J055EY10 ,  5J055EY12 ,  5J055EY13 ,  5J055EY21 ,  5J055EZ07 ,  5J055EZ14 ,  5J055EZ18 ,  5J055EZ20 ,  5J055EZ22 ,  5J055GX01 ,  5J055GX04 ,  5J055GX07