特許
J-GLOBAL ID：200903013224898231
半導体評価解析装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-194145
公開番号（公開出願番号）：特開平6-034723
出願日： 1992年07月21日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：
【要約】【目的】 電子ビームをX方向又はY方向にのみにラインスキャンさせ、半導体デバイス表面の情報を得て、自動的に配線の位置を検出する。【構成】 検出器8から得たコントラスト信号を増幅器9に入力し、増幅信号から配線のエッジを検出する位置検出器24へ信号を入力する。【効果】 電子ビームを使用する電子ビームテスタの自動化を図ることができる。
請求項（抜粋）：
電子ビームを水平又は垂直方向にのみ走査して被測定物である半導体デバイスに照射する電子ビーム照射手段、前記半導体デバイスから出てくる二次電子の電位コントラスト、形状コントラスト、材質コントラストを検出する二次電子検出手段、及び走査時間とコントラストの関係に基づいて前記コントラストの変化が現れる点で前記電子ビームの走査を止めさせる位置検出手段を備えたことを特徴とする半導体評価解析装置。
IPC (2件)：
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