特許
J-GLOBAL ID：200903013228088897
半導体集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田澤 博昭 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-098437
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291576
出願日： 1993年04月02日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：
【要約】【目的】 任意の周波数特性を実現可能にする。【構成】 定電流源トランジスタ11aを、第1の選択レジスタ8aからの制御信号によって任意の個数分選択されて動作可能とされる同一サイズまたは異なるサイズの複数のトランジスタから構成し、また、位相補償用コンデンサ7aを、第2の選択レジスタ8bからの制御信号によって任意の個数分選択されて動作可能とされる同一容量または異なる容量の複数のコンデンサから構成する。
請求項（抜粋）：
カレントミラー回路、MOS差動増幅対および定電流源トランジスタからなる差動増幅回路と、該差動増幅回路の出力を増幅するMOSインバータ型出力バッファと、該MOSインバータ型出力バッファおよび上記差動増幅回路間に接続された位相補償用コンデンサとを備えた半導体集積回路において、上記定電流源トランジスタを、第1の選択レジスタからの制御信号によって任意の個数分選択されて動作可能とされる同一サイズまたは異なるサイズの複数のトランジスタから構成したことを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2件)：
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