特許

J-GLOBAL ID：200903013229631390

半導体受光素子

発明者： 三須 重幸
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-187942
公開番号（公開出願番号）：特開平9-018049
出願日： 1995年06月30日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【目的】 簡単な構成により、かつ煩雑な制御を行うことなく、波長多重化された光信号を単一の素子により各波長毎に分離して電気信号に変換する。これにより、波長多重伝送方式の光ファイバ通信において、受信側システムをコンパクトで安価なものとする。【構成】 光導波路としての機能を併せ持つ光吸収層5、11を有する複数のダイオード部α、βを、各光吸収層が光路上に配列されるように互いに絶縁状態で配置する。また、各ダイオード部の光吸収層の組成を異ならせ、各光吸収層が異なるバンドギャップ波長を持つようにする。そして、信号光が各ダイオード部の光吸収層を順次通過する際に、光吸収層のバンドギャップ波長の範囲内の波長の信号光のみをそのダイオード部でO/E変換し、範囲外の波長の信号光は次のダイオード部に伝搬する。このようなO/E変換を順次行って、多重化された各波長の光信号をそれぞれ電気信号に変換する。

請求項（抜粋）：

光導波路としての機能を併せ持つ光吸収層を有する複数のダイオード部が設置された半導体受光素子であって、各光吸収層が光路上に配列されるように前記複数のダイオード部が互いに絶縁状態で配置されているとともに、各ダイオード部の光吸収層がそれぞれ異なる組成を有することにより異なるバンドギャップ波長を持ち、波長多重化された各波長の光信号が各ダイオード部でそれぞれ電気信号に変換されるよう構成したことを特徴とする半導体受光素子。