特許

J-GLOBAL ID：200903013229927230

配線基板

発明者： 桑田 義道 ,  土岐 博司
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-348265
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189826
出願日： 1996年12月26日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】 従来の配線基板では高融点金属メタライズ配線層に対して金めっき層の被着強度と高速の信号の伝搬とを同時に満足させることができなかった。【解決手段】 半導体素子3を搭載する絶縁基体1に半導体素子3を外部電気回路に接続するための高融点金属メタライズ配線層2を被着形成して成るとともに高融点金属メタライズ配線層2表面に下地金属めっき層6を介して金めっき層7が鍍着されて成る配線基板4であって、下地金属めっき層6が、それぞれ加熱処理された二層の銅めっき層6a・6bが積層されて成る配線基板である。金めっき層7が高融点金属メタライズ配線層2から剥がれることはなく、下地金属めっき層6と高融点金属メタライズ配線層2との密着が極めて強固なものとなり、高速の信号も良好に伝搬できる。

請求項（抜粋）：

半導体素子を搭載する絶縁基体に半導体素子を外部電気回路に接続するための高融点金属メタライズ配線層を被着形成して成るとともに該高融点金属メタライズ配線層表面に下地金属めっき層を介して金めっき層が鍍着されて成る配線基板であって、前記下地金属めっき層が、それぞれ加熱処理された二層の銅めっき層が積層されて成ることを特徴とする配線基板。

IPC (3件)：

H01L 23/12 301 ,  H01L 23/12 ,  H05K 3/24

FI (3件)：

H01L 23/12 301 L ,  H05K 3/24 A ,  H01L 23/12 Q