特許

J-GLOBAL ID：200903013233105325

シリカ膜の形成方法及び電子部品の製造方法

発明者： 中川 敏 ,  小野沢 和久
出願人/特許権者： 旭電化工業株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-010570
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208504
出願日： 1999年01月19日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】 本発明の目的は、高純度で不純物の少ないテトラエトキシシラン(TEOS)を供給することにより信頼性の高い絶縁膜等を得ることのできるシリカ膜の形成方法及びこれを用いた電子部品の製造方法を提供することにある。【解決手段】 本発明のシリカ膜の形成方法は、TEOS供給装置からTEOSを気化室に充填する工程;キャリアガスを気化室に導入し、気化室からキャリアガス・TEOS混合ガスを反応器に導入する工程;酸化剤ガス供給装置から酸化剤ガスを反応器に導入する工程;反応器内のシリカ膜被形成基体を所望温度に加熱してシリカ膜被形成基体上にシリカ膜を形成する工程;反応器から排気ガスを排出する工程を有するシリカ膜の形成方法において、TEOS供給装置が、TEOSの液量監視手段として少なくとも1つの光学的液面センサを備えてなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

テトラエトキシシラン供給装置からテトラエトキシシランを気化室に充填する工程;キャリアガスを気化室に導入し、気化室からキャリアガス・テトラエトキシシラン混合ガスを反応器に導入する工程;酸化剤ガス供給装置から酸化剤ガスを反応器に導入する工程;反応器内のシリカ膜被形成基体を所望温度に加熱してシリカ膜被形成基体上にシリカ膜を形成する工程;反応器から排気ガスを排出する工程を有するシリカ膜の形成方法において、テトラエトキシシラン供給装置が、テトラエトキシシランの液量監視手段として少なくとも1つの光学的液面センサを備えてなることを特徴とするシリカ膜の形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/448 ,  G01F 23/28 ,  H01L 21/316

FI (5件)：

H01L 21/31 F ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/44 C ,  H01L 21/316 X ,  G01F 23/28 K

Fターム (41件)：

2F014AB02 ,  2F014AB03 ,  2F014FA02 ,  4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030AA20 ,  4K030BA26 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA01 ,  4K030JA06 ,  4K030KA39 ,  4K030LA02 ,  5F045AB32 ,  5F045AB36 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045AD08 ,  5F045BB15 ,  5F045BB19 ,  5F045CB05 ,  5F045DC63 ,  5F045DP03 ,  5F045EE03 ,  5F045EE04 ,  5F045EE05 ,  5F058BA09 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BF02 ,  5F058BF25 ,  5F058BF29 ,  5F058BF32 ,  5F058BF33 ,  5F058BG02 ,  5F058BG10 ,  5F058BJ02