特許
J-GLOBAL ID：200903013233505889
半導体装置用ガラスマスクおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-293074
公開番号（公開出願番号）：特開平6-138643
出願日： 1992年10月30日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：
【要約】【目的】 半導体チップのチップ領域のパターン密度が所定値以下であっても、得られる半導体チップの回路パターンの幅を設計値に近い値とする。【構成】 ガラスマスク10は、ガラス基板11と、ガラス基板11上のマスクパターン12a,12b,12cとからなっている。マスクパターン12a,12b,12cは各マスク領域内に配置され、各領域内のマスクパターン12a,12b,12cの幅は、対応する半導体チップのチップ領域の回路パターンのパターン密度に応じて定められている。回路パターン22a,22b,22cのパターン密度が所定値以下の場合、回路パターンの設計値の幅を狭く補正してマスクパターン12a,12b,12cの幅が定められる。
請求項（抜粋）：
ガラス基板上にマスクパターンを有し、回路パターンを形成して半導体チップを作成するための半導体装置用ガラスマスクにおいて、マスクパターンは複数のマスク領域内に配置され、各マスク領域内のマスクパターン幅は、対応する半導体チップのチップ領域のパターン密度が所定値以下の場合、回路パターンの設計値幅を狭く補正して定められていることを特徴とする半導体装置用ガラスマスク。
IPC (2件)：
引用特許：
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