特許

J-GLOBAL ID：200903013237464982

半導体装置とその製造方法

発明者： 岡澤 武
出願人/特許権者： NECエレクトロニクス株式会社
代理人 (3件)： 机 昌彦 ,  谷澤 靖久 ,  河合 信明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-180081
公開番号（公開出願番号）：特開2004-023062
出願日： 2002年06月20日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：

【課題】クロスポイント型MRAMと選択トランジスタ型MRAMが夫々別のチップで形成されていたことによりチップとコントローラをつなぐ配線の遅延や面積の増大といった問題がある。【解決手段】クロスポイント型MRAMと選択トランジスタ型MRAMを同一チップ上に形成する。クロスポイント型MRAMは選択トランジスタ型MRAMの上に積層されている。STr型MRAMはワークメモリ領域として動作しXP型MRAMはデータストレージ領域として動作する。XP型MRAMのセル及びSTr型MRAMのセルが同一のビット線に接続されビット線に所定の電流を流し、XP型MRAMのセルに対応する第1のワード線に電流を流し、STr型MRAMのセルに対応する第2のワード線に電流を流して、XP型MRAMのセル及びSTr型MRAMのセルに同時にデータを記録してもよい。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

選択トランジスタ型(STr)型MRAMとクロスポイント(XP)型MRAMが同一チップに形成され、更に前記STr型MRAM及びXP型MRAMを制御するメモリコントローラを前記同一チップ上に有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L27/105 ,  G11C11/15 ,  H01L43/08

FI (3件)：

H01L27/10 447 ,  G11C11/15 100 ,  H01L43/08 Z

Fターム (13件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA10 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA10 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR41 ,  5F083ZA12 ,  5F083ZA13 ,  5F083ZA14