3-5族化合物半導体の製造方法及び発光素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高野昌俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-004098
公開番号（公開出願番号）：特開2003-209285
出願日： 2002年01月11日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：

【要約】【課題】高品質の量子井戸層を発光波長の短波長化を抑えて製造できるようにすること。【解決手段】一般式Inp Gaq Alr N(ただし、0≦p≦1、0≦q≦1、0≦r≦1、p+q+r=1)で表わされる3-5族化合物半導体の積層構造であり、InGaN層(量子井戸層)4Aをこれよりバンドギャップの大きなGaN層(障壁層)5A及び5Bによって挟むようにしてInGaN層4AにGaN層5A及び5Bを接合させた層構造を有している3-5族化合物半導体1の製造方法において、量子井戸層の成長温度を障壁層の成長温度より高くすることにより、発光に寄与するバンドギャップの小さな量子井戸層の結晶品質を高くする一方、発光波長が短波長にシフトするのを小さく抑えるようにした。

請求項（抜粋）：

一般式In<SB>a </SB>Ga<SB>b </SB>Al<SB>c </SB>N(ただし、0≦a<1、0<b≦1、0≦c≦1、a+b+c=1)で表わされる3-5族化合物半導体よりなる第1の層と、該第1の層よりバンドギャップが小さく一般式In<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB></SB><SB>z </SB>N(ただし、0<x<1、0<y<1、0≦z<1、x+y+z=1)で表わされる3-5族化合物半導体よりなる第2の層と、該第2の層よりバンドギャップが大きく一般式In<SB>s </SB>Ga<SB>t </SB>Al<SB>u </SB>N(ただし、0≦s<1、0<t≦1、0≦u≦1、s+t+u=1)で表わされる第3の層とを、下地結晶上にこの順序で気相成長させることによる3-5族化合物半導体の製造方法において、前記第2の層を、前記第3の層の成長温度よりも高い温度で成長させることを特徴とする3-5族化合物半導体の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01S 5/323 610

FI (3件)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205 , H01S 5/323 610

Fターム (22件)：

5F041AA03 , 5F041AA11 , 5F041AA40 , 5F041CA03 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AD11 , 5F045BB16 , 5F045CA09 , 5F045DA55 , 5F045EK26 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073DA05 , 5F073EA24 , 5F073EA28 , 5F073HA10

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