特許
J-GLOBAL ID：200903013249118621
フオトレジスト塗布方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-200079
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021330
出願日： 1991年07月15日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板の表裏面に凸状部が形成さらない均一な面を有するフォトレジスト層を形成すること。【構成】 スピンコータ1の回転速度を、高速回転数RHから低速度回転数RLに下げて、再び前記高速回転数RHまで上げる速度変化工程を設け、低速回転中に半導体基板8の外周部に垂れてきたフォトレジスト9を再び高速回転することにより外方に飛散させる。このため、フォトレジスト9の該半導体基板8の表裏面側への周り込みが防止され、2重層の形成が阻止され、均一な面を有するフォトレジスト層10を形成することができる。
請求項（抜粋）：
スピンコータで半導体基板表面にフォトレジストを塗布する方法において、該スピンコータの回転速度を、高速回転数RHから低速度回転数RSに下げて、再び前記高速回転数RHまで上げる速度変化工程を含むことを特徴とするフォトレジスト塗布方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, B05D 1/40
, G03F 7/16 502
, B05C 11/08
