アバランシエ増倍型受光素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-296053
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136451
出願日： 1991年11月12日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】【目的】アバランシェ増倍型受光素子を改良する。【構成】アバランシェ増倍用の高電圧が印加される第1および第2の電極は、絶縁膜を介して半導体薄膜に積層されているので、注入電流を十分に低減できる。また、信号電流の取り出しは、これと交差する方向の第3および第4の電極間でなされるので、高電界領域外に信号出力部を設け得る。

請求項（抜粋）：

基板上に、第1の電極、第1の絶縁膜、半導体薄膜、第2の絶縁膜および第2の電極を順次に堆積した積層構造体が形成され、前記積層構造体の一方の端部近傍には前記第1の電極側で前記半導体薄膜に接続された第3の電極が設けられると共に、他方の端部近傍には前記第2の電極側で前記半導体薄膜に接続された第4の電極が設けられ、前記第1および第2の電極間には前記半導体薄膜でアバランシェ増倍を生じさせ得る電圧が印加されると共に、前記第3および第4電極を介して検出信号が出力されるようにしたことを特徴とするアバランシェ増倍型受光素子。

IPC (2件)：

H01L 31/107 , H01L 27/146

FI (2件)：

H01L 31/10 B , H01L 27/14 A

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