特許

J-GLOBAL ID：200903013252222073

透明導電膜、および透明電極の形成方法

発明者： 高木 悟 ,  佐藤 一夫 ,  宮崎 正美 ,  河村 有紀 ,  西村 啓道
出願人/特許権者： 旭硝子株式会社
代理人 (1件)： 泉名 謙治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-194446
公開番号（公開出願番号）：特開平11-070610
出願日： 1997年07月18日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】【課題】低比抵抗で、耐久性に優れ、微細電極加工性能に優れた透明導電膜と透明電極形成方法の提供。【解決手段】基体1側から、透明酸化物層2、4とAgを含有する金属層3がこの順に(2n+1)層(nは1以上の整数)積層され、透明酸化物層2、4が、ZnOを含み、かつInを、ZnとInとの総和に対して9〜98原子%の範囲で含有する酸化物層である透明導電膜および透明電極の形成方法。

請求項（抜粋）：

基体側から、透明酸化物層と金属層がこの順に(2n+1)層(nは1以上の整数)積層されてなる透明導電膜において、透明酸化物層は、ZnOを含み、かつInを、ZnとInとの総和に対して9〜98原子%の範囲で含有する酸化物層であり、金属層は、Agを含有する金属層であることを特徴とする透明導電膜。

IPC (8件)：

B32B 9/00 ,  B32B 7/02 104 ,  B32B 15/04 ,  C03C 17/36 ,  G02F 1/1343 ,  H01B 5/14 ,  H01J 9/02 ,  H05B 33/28

FI (8件)：

B32B 9/00 A ,  B32B 7/02 104 ,  B32B 15/04 Z ,  C03C 17/36 ,  G02F 1/1343 ,  H01B 5/14 A ,  H01J 9/02 F ,  H05B 33/28