特許
J-GLOBAL ID：200903013252245448
無電解ニッケルメッキ方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-105021
公開番号（公開出願番号）：特開平10-298771
出願日： 1997年04月22日
公開日（公表日）： 1998年11月10日
要約：
【要約】【課題】 表面に導体回路11を有する有機系基板10の、その導体回路11を有する側の表面にレジスト皮膜20を形成した後、無電解ニッケルメッキ液に浸漬してニッケルメッキ皮膜を形成する無電解ニッケルメッキ方法であって、ニッケルメッキ皮膜の未形成部が生じ難い、無電解ニッケルメッキ方法を提供する。【解決手段】 導体回路11の表面にニッケルメッキ皮膜を形成する方法が、導体回路11を第一の無電解ニッケルメッキ液35に浸漬して、導体回路11の表面に第一のニッケルメッキ皮膜30を形成した後、その第一の無電解ニッケルメッキ液35よりニッケルの析出速度が速い第二の無電解ニッケルメッキ液36に浸漬して、第一のニッケルメッキ皮膜30の表面に第二のニッケルメッキ皮膜31を形成する方法である。
請求項（抜粋）：
表面に導体回路を有する有機系基板の、その導体回路を有する側の表面にレジスト皮膜を形成した後、無電解ニッケルメッキ液に浸漬し、無電解ニッケルメッキ液と接する導体回路の表面に、ニッケルメッキ皮膜を形成する無電解ニッケルメッキ方法において、導体回路の表面にニッケルメッキ皮膜を形成する方法が、導体回路を第一の無電解ニッケルメッキ液に浸漬して、導体回路の表面に第一のニッケルメッキ皮膜を形成した後、その第一の無電解ニッケルメッキ液よりニッケルの析出速度が速い第二の無電解ニッケルメッキ液に浸漬して、第一のニッケルメッキ皮膜の表面に第二のニッケルメッキ皮膜を形成する方法であることを特徴とする無電解ニッケルメッキ方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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