特許
J-GLOBAL ID：200903013256225824
半導体装置の薄膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-145070
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022316
出願日： 1993年06月16日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：
【要約】【目的】 高密度化・高信頼性化に対応し得る半導体装置の薄膜形成方法を提供することを目的とする。【構成】 単一周波数の高周波電力により反応容器内にプラズマを発生させ、この反応容器内に導入した反応ガスをプラズマ放電エネルギーを用いて活性化させることにより、反応ガスの化学的気相成長によって生成される沈積物を試料面へ被着させる半導体装置の薄膜形成方法において、上記反応ガスとして、飽和炭素骨格を有するハロゲン系ガスとTEOS系ガスとの混合ガス、又はハロゲン系ガスとTEOS系ガスとの混合ガス適用することとした。
請求項（抜粋）：
単一周波数の高周波電力により反応容器内にプラズマを発生させ、この反応容器内に導入した反応ガスをプラズマ放電エネルギーを用いて活性化させることにより、反応ガスの化学的気相成長によって生成される沈積物を試料面へ被着させる半導体装置の薄膜形成方法において、前記反応ガスとして、TEOS系ガスと飽和炭素骨格を有するハロゲン系ガスとの混合ガス、又はTEOS系ガスとハロゲン系ガスとの混合ガスを適用することを特徴とする半導体装置の薄膜形成方法。
引用特許：
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