特許

J-GLOBAL ID：200903013257602745

半導体パッケージ用放熱部材の製造方法

発明者： 藤井 孝浩 ,  竹島 鋭機 ,  坂戸 健二 ,  内田 和子
出願人/特許権者： 日新製鋼株式会社
代理人 (1件)： 小橋 信淳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-076018
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243436
出願日： 1992年02月27日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】 半導体素子に近似した熱膨張係数を持ち放熱性に優れた半導体素子搭載基板,ヒートシンク,放熱フィン等の放熱部材を得る。【構成】 粒径3〜10μmのW,Mo粉末の個々の粒子表面に10〜40重量%の重量比でCu又はAgのめっき層を形成し、めっきした粉末を成形・焼結した後、断面減少率50%以上の圧下率で圧延することによって製造される。【効果】 焼結体を圧延することによって、内部欠陥がない圧密化組織及び緻密な表面をもつ圧延材が得られる。圧延材は、打抜き,曲げ加工等によって必要形状の製品に仕上げられる。製品は、Si等の半導体素子に近似した熱膨張係数をもち、半導体素子や外囲器との間に熱応力に起因する剥離,クラック等を発生することがない。また、めっき層の密着性も良好である。

請求項（抜粋）：

粒径3〜10μmのW,Mo粉末の個々の粒子表面に10〜40重量%の重量比でCu又はAgのめっき層を形成し、該めっきした粉末を成形・焼結した後、断面減少率50%以上の圧下率で圧延することを特徴とする半導体パッケージ用放熱部材の製造方法。