特許
J-GLOBAL ID：200903013259704030
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-184443
公開番号（公開出願番号）：特開2005-039236
出願日： 2004年06月23日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
要約：
【課題】 安価なガラス基板を用い、情報量の増加に対応でき、なおかつ高性能で高速動作が可能な集積回路を有する半導体装置の提供を課題とする。【解決手段】 半導体素子を有する回路がそれぞれ形成された複数のガラス基板を有する半導体装置であって、複数の各ガラス基板は、発光素子と、受光素子の両方またはいずれか一方を有し、発光素子は、一対の電極間に形成された電界発光層に電流を流すことによりレーザ光が発振されるように、電界発光層において発光可能な複数の層が接して形成されており、発光素子から発振されたレーザ光を用いて光信号を生成し、光信号を受光素子において電気信号に変換することで、複数のガラス基板に形成された各回路間の信号の伝送が行なわれることを特徴とする半導体装置。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体素子を有する回路がそれぞれ形成された複数のガラス基板を有し、
前記複数の各ガラス基板は、発光素子と、受光素子の両方またはいずれか一方を有し、
前記発光素子は、一対の電極間に形成された電界発光層に電流を流すことによりレーザ光が発振されるように、前記電界発光層において発光可能な複数の層が接して形成されており、
前記発光素子から発振された前記レーザ光を用いて光信号を生成し、前記光信号を前記受光素子において電気信号に変換することで、前記複数のガラス基板に形成された前記各回路間の信号の伝送が行なわれることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L31/12
, H01L27/15
, H01S5/323
, H05B33/00
, H05B33/02
, H05B33/14
H01L31/12 C
, H01L27/15 H
, H01S5/323
, H05B33/00
, H05B33/02
, H05B33/14 A
3K007BA00
, 3K007BB06
, 3K007DB03
, 3K007EA04
, 5F089AA10
, 5F089AB03
, 5F089AC07
, 5F089AC10
, 5F089AC19
, 5F089AC30
, 5F089FA10
, 5F173AA01
, 5F173AB13
, 5F173AC05
, 5F173AC15
, 5F173AD02
, 5F173AH36
, 5F173AH45
